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EXPERIMENTO DEMONSTRA POSSIBILIDADE DE NANOMEMÓRIAS NÃO-VOLÁTEIS
Inovação Tecnológica, sexta-feira, 2 de outubro de 2009
EXPERIMENTO DEMONSTRA POSSIBILIDADE DE NANOMEMÓRIAS NÃO-VOLÁTEIS

Teoria versus experimentos


É a teoria que gera os experimentos ou os experimentos que levam à criação das teorias? Os cientistas, à exceção de alguns mais obtusos, sabem que é a influência recíproca entre teorias e experimentos que resulta em novos avanços.


Pesquisadores demonstraram uma alteração de várias ordens de magnitude na resistência elétrica quando se efetua uma reversão de polarização no material ferroelétrico. [Imagem: Nano Letters


Algumas vezes, experimentos e desenvolvimentos tecnológicos abrem o caminho para novas teorias. Noutras, uma teoria bem-sucedida pode contribuir substancialmente para a interpretação e a análise dos dados experimentais. Mas, e aqui se fala da influência recíproca, alguns experimentos levam a teorias que conseguem prever novos efeitos, levando a novos experimentos e desenvolvimentos tecnológicos.


Resistência elétrica


Isto parece ser o que aconteceu agora em um experimento onde a nanotecnologia comprova o que a teoria previu, abrindo o caminho para desenvolvimentos tecnológicos na área da microeletrônica, principalmente na área das memórias de computador.


Há três anos, um trabalho teórico de pesquisadores da Universidade de Nebraska, nos Estados Unidos, previu um novo efeito que poderia revolucionar o campo da microeletrônica, permitindo a criação de memórias menores, mais rápidas e com menor consumo de energia.


Agora, medições das propriedades elétricas de materiais ferroelétricos, conduzidas pela equipe do professor Alexei Gruverman deram pela primeira vez a confirmação experimental desse efeito. Gruverman e seus colegas demonstraram uma alteração de várias ordens de magnitude na resistência elétrica quando se efetua uma reversão de polarização no material ferroelétrico.


Memórias mais duráveis


Devido à sua capacidade de reter a polarização elétrica de forma permanente, mesmo na ausência de um campo elétrico, os materiais ferroelétricos vêm sendo pesquisadores há décadas para o desenvolvimento de memórias não-voláteis.


O efeito agora descoberto poderá resolver alguns dos mais sérios problemas relacionados à miniaturização das memórias - a pequena carga e a grande fuga de corrente - que levam ao grande consumo de energia e à perda progressiva dos dados.


Bits menores


Na verdade, a descoberta transforma esse problema em vantagem porque o efeito irá permitir a leitura não-destrutiva do estado de polarização do material simplesmente medindo-se sua resistência elétrica, o que pode ser feito com uma tensão muito menor do que a utilizada hoje.


Quando efetivamente aplicado no desenvolvimento de uma nova geração de memórias, o resultado serão memórias menores e mais confiáveis. Segundo as medições feitas pelos pesquisadores, cada bit de informação construído com o material poderá ter apenas 20 nanômetros de diâmetro.



Bibliografia:

Tunneling Electroresistance Effect in Ferroelectric Tunnel Junctions at the Nanoscale
A. Gruverman, D. Wu, H. Lu, Y. Wang, H. W. Jang, C. M. Folkman, M. Ye. Zhuravlev, D. Felker, M. Rzchowski, C.-B. Eom, E. Y. Tsymbal
Artigo Science
Vol.: Article ASAP
DOI: 10.1021/nl901754t
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